SK海力士全球首发12层堆叠HBM4内存技术
11月28日,半导体企业SK海力士在美国圣路易斯举行的全球高性能计算大会SC25上,集中展示了面向AI与高性能计算时代的先进存储解决方案。

本次展会上,SK海力士重点呈现了其HBM、DRAM及企业级固态硬盘三大核心产品线,并设置了面向AI与HPC应用场景的现场演示环节。
在展台核心区域,SK海力士重磅展出了全球首款12层堆叠HBM4内存。这款产品已于今年9月率先实现业界首发,单个芯片集成2,048个I/O通道,较上一代HBM3提升一倍,带宽实现显著跃升;同时能效提升超40%,为超大规模AI计算系统提供了理想的存储解决方案。此外,公司还联合英伟达展示了当前性能最强的商用HBM产品——12层堆叠HBM3E,该产品将搭载于英伟达下一代GB300 Grace Blackwell GPU平台。

在DRAM展区,SK海力士面向下一代服务器市场推出了基于1c节点的DDR5系列模组,包括RDIMM与MRDIMM产品,并重点呈现了256GB容量的3DS DDR5 RDIMM与256GB DDR5 Tall MRDIMM。这些产品在高端服务器环境中展现出更高速率与更佳能效,可为数据中心提供稳定可靠的运行保障。

在企业级SSD领域,SK海力士展示了覆盖大容量、高性能需求的多款eSSD产品:
采用176层4D NAND闪存的PS1010 E3.S与PE9010 M.2固态硬盘;
基于238层NAND的PEB110 E1.S固态硬盘;
搭载QLC NAND架构的PS1012 U.2固态硬盘;
以及业内首创、配备321层QLC NAND的245TB超大容量PS1101 E3.L固态硬盘。

这些产品不仅提供领先的存储容量,更通过PCIe 4.0/5.0高速接口实现极速数据传输。此外,该公司还展出了面向多元化服务器部署环境的完整存储产品组合,包括适用于入门级服务器与PC的SATA 3接口SE5110固态硬盘。
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