AI驱动存储景气：万联证券解析技术创新与供需格局变革

智通财经APP获悉，随着AI浪潮持续驱动产业变革，云厂商正加速资本开支以支持AI数据中心与云计算的旺盛需求，服务器与存储领域迎来显著增长契机。而AI技术在消费终端的加速渗透，亦带动端侧存储市场持续扩容，整个存储行业有望迎来一轮由AI驱动的新增长周期。

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万联证券在最新研报中提出以下核心观点：

存储市场规模广阔，有望迎来以AI驱动的新一轮周期。

根据CFM闪存市场数据显示，2025年第三季度，全球存储市场规模创下季度历史新高，且已连续两个季度实现增长。其中，DRAM市场规模环比大幅增长24.7%，达到400.37亿美元；NAND市场规模也环比增长16.8%，增至184.22亿美元。当前，存储芯片市场正迎来由AI驱动的全新景气周期，其驱动力更为强劲：一方面，AI带来的算力需求持续拉动存储技术迭代加速；另一方面，供给侧厂商的产能调控策略升级，同时短期新增产能有限，使得供需缺口有望延续。本轮存储行业的涨价势头或因此而更具持续性。

服务器存储受益于云厂商资本开支加速，端侧存储有望持续扩容。

全球八大核心云服务提供商自2025年以来均加大了资本投入，以应对AI数据中心与云端运算的旺盛需求。TrendForce集邦咨询预测，2025年这八大云厂商的总资本支出年增长率预计达65%，并预期2026年行业仍将维持积极的投资节奏，合计资本支出将突破6000亿美元，年增长率达40%。资本开支的持续扩张有望全面带动AI服务器需求升温，进而拉动存储器等上游供应链的需求。在存储器的下游应用中，服务器存储占比有望进一步提升。在NAND领域，算力中心为提升性能、降低功耗，正积极应用超高容量eSSD；在DRAM方面，随着支持DDR5的处理器平台渗透率提升，以及搭载AI加速芯片的AI服务器出货放量，服务器市场对DDR5及HBM的需求正快速增长。同时，2024至2025年全球手机与PC出货量保持稳定，而AI手机、AIPC等智能终端的加速渗透，也为端侧存储的持续扩容提供了有力支撑。

技术创新驱动存储市场成长，供给侧调控导致DDR4等产品供应趋紧。

HBM与DDR5正引领高端DRAM市场发展。HBM技术持续迭代，存储容量与带宽不断提升，目前主流AI加速卡大多采用HBM配置方案，有望推动HBM市场规模稳步增长；DDR5在企业级与数据中心客户的应用规模有望持续提升。在NAND市场方面，QLC NAND技术日趋成熟，兼顾大容量、低功耗与高性能的QLC SSD正成为企业级存储的新选择，其渗透率有望持续提升。为应对AI算力的旺盛需求，各大存储厂商正调整产能规划，将资源倾斜至HBM等高端环节，同时减产或停产DDR4等传统产品，导致相关产品价格大幅上扬。

存储市场集中度较高，国产存储技术突破有望提升出货量，产业链迎发展机遇。

全球存储市场集中度较高，竞争格局相对稳定，三星、SK海力士、美光等厂商稳居前列。国产DRAM龙头厂商长鑫存储已实现DDR5/LPDDR5X的技术突破与产品供应，其出货量有望逐步攀升。国产NAND Flash龙头厂商长江存储则在QLC、TLC等多款产品上实现了技术突破。当前，AI驱动与技术创新的双重叠加，促使供需格局发生变化，国内存储芯片厂商、模组厂商有望充分受益于存储行业的新一轮景气周期。此外，行业景气度提升也有望推动存储厂商加大资本开支，从而提振上游半导体设备的需求。

投资建议：1）存储原厂，需求端迎来AI强驱动，供给侧产能调控叠加技术创新加速，行业供需缺口或进一步扩大，产品价格上涨态势有望延续。建议关注存储厂商盈利能力提升带来的投资机遇；同时，国内存储厂商技术持续突破，国产份额有望提升，可关注存储行业国产替代相关的投资机会。2）存储模组厂商，国内存储模组厂商毛利率有所回升，同时备货力度持续加大，叠加下游终端需求改善，模组厂商盈利能力有望改善，建议关注模组厂商业绩转暖的投资机遇。3）上游设备供应商，存储景气周期有望推动存储厂商提升资本开支，提振上游半导体设备行业需求，建议关注设备领域的龙头企业。

风险因素：中美科技摩擦加剧；AI应用发展不及预期；国产技术突破不及预期；下游终端需求不及预期；市场竞争加剧。