三星SK扩产HBM芯片，应对AI需求暴涨
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随着人工智能浪潮席卷全球，韩国两大半导体巨头三星与SK海力士正全力提升内存产能，以满足该领域爆发式增长的需求。三星电子近期不仅提高了韩国本土DRAM和NAND闪存生产线的利用率，更将扩产重点放在高带宽内存（HBM）等高端产品上。为巩固先进制程的供应优势，公司已于11月决定重启平泽第五工厂的建设工作，预计该工厂将于2028年投入量产。
与此同时，SK海力士也在积极推进新厂建设。其位于清州的M15X工厂已进入投产前的最后准备阶段，主要专注于DRAM及面向AI应用的存储芯片制造。此外，公司高层透露，正争取在原定2027年期限之前，完成位于龙仁半导体园区的首座晶圆厂建设。该项目规模庞大，相当于六座M15X工厂的体量，将成为公司未来产能扩张的核心支柱。
人工智能技术的飞速发展，预计将长期推动市场对高性能存储芯片的需求持续高速增长。业内普遍共识是，产能规模已成为企业竞争力的关键因素之一。数据显示，全球DRAM市场规模有望在2026年达到1700亿美元，相较于2024年的1000亿美元显著跃升，这充分反映出行业前景的强大动能。
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