我国首发8英寸氧化镓晶体突破，自主制备填补技术空白

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2025年12月29日，“上海科技”公众号发布消息称，在上海市委第四代半导体战略前沿专项的支持下，中国科学院上海光机所与杭州富加镓业科技有限公司合作，采用垂直布里奇曼法（VB法）成功制备出8英寸氧化镓晶体，首次在国际上实现了该尺寸晶体的技术突破。

氧化镓作为第四代半导体领域的关键材料，因其具有较大的禁带宽度和高击穿场强，在超高功率器件的研发与应用中展现出重要潜力。上海光机所是国内较早开展氧化镓晶体研究的科研机构之一，近年来联合富加镓业持续攻关核心技术，重点围绕关键装备研制、高精度模拟仿真以及确定性热场设计三大方向进行系统性提升。

自2024年7月率先在国内实现3英寸氧化镓晶体生长以来，该团队相继于2024年12月完成4英寸晶体制备，并于2025年9月实现6英寸晶体的技术突破，最终在2025年12月创下了VB法生长大尺寸氧化镓晶体的国际新纪录。

相较于其他晶体生长方法，VB法在氧化镓材料制备方面展现出多方面优势：无需使用昂贵的铱金坩埚，显著降低了生产成本；生长过程中温度分布更为均匀，温度梯度更小，有利于获得大尺寸且高质量的晶体；可实现柱状晶体生长，提高原材料利用率和制备效率；工艺过程稳定性强，更适用于自动化和规模化生产，为后续产业化提供了坚实基础。

未来，合作团队将继续联合下游应用单位，加快推进材料在器件端的应用验证工作，持续优化氧化镓材料性能与器件表现，深入推进技术迭代，全面加速氧化镓半导体材料的产业化进程。