SK海力士5位NAND闪存发布:读取速度超传统PLC 20倍
IT之家 1 月 16 日消息,据 TrendForce 今天报道,在 AI 热潮的当下,各大存储厂商目前对 NAND 闪存产能扩张方面表现谨慎,并逐步淘汰 MLC 等旧产品。其中 SK 海力士就在
1月16日,IT之家援引TrendForce报告指出,当前AI热潮席卷之下,各大存储厂商对于NAND闪存产能的扩张普遍持审慎态度,并逐步淘汰MLC等旧型号产品。其中,SK海力士在去年12月公布了其5-Bit NAND技术,据称该技术的读取速度比传统PLC闪存提升高达20倍。

报告显示,SK海力士的5-Bit NAND采用了名为Multi-Site Cell(MSC)的NAND方案。该方案能够将每个3D NAND存储单元一分为二,在提升单元数据容量的同时,将所需的工作电压降低约三分之二。
结合相关分析报道,SK海力士还在5-Bit NAND中应用了4D 2.0技术。这项技术旨在解决传统存储单元在超过4位(即QLC)后必然遇到的“电压状态壁垒”难题,使得在不牺牲读写速度或耐久性的前提下,实现每单元存储5比特数据成为可能。
目前,QLC 3D NAND闪存虽已实现量产,但普遍存在读取可靠性偏低、使用寿命较短等不足。为此,SK海力士选择将一个NAND存储单元拆分为两个相互独立的“Site”,每个Site所需的运行电压更低,从而使两个Site共同实现更高的存储密度。
此外,SK海力士的这项创新技术还能将单颗NAND Die及固态硬盘(SSD)的存储容量提升25%。
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