SK海力士5位NAND闪存发布：读取速度超传统PLC 20倍

1月16日，IT之家援引TrendForce报告指出，当前AI热潮席卷之下，各大存储厂商对于NAND闪存产能的扩张普遍持审慎态度，并逐步淘汰MLC等旧型号产品。其中，SK海力士在去年12月公布了其5-Bit NAND技术，据称该技术的读取速度比传统PLC闪存提升高达20倍。

报告显示，SK海力士的5-Bit NAND采用了名为Multi-Site Cell（MSC）的NAND方案。该方案能够将每个3D NAND存储单元一分为二，在提升单元数据容量的同时，将所需的工作电压降低约三分之二。

结合相关分析报道，SK海力士还在5-Bit NAND中应用了4D 2.0技术。这项技术旨在解决传统存储单元在超过4位（即QLC）后必然遇到的“电压状态壁垒”难题，使得在不牺牲读写速度或耐久性的前提下，实现每单元存储5比特数据成为可能。

目前，QLC 3D NAND闪存虽已实现量产，但普遍存在读取可靠性偏低、使用寿命较短等不足。为此，SK海力士选择将一个NAND存储单元拆分为两个相互独立的“Site”，每个Site所需的运行电压更低，从而使两个Site共同实现更高的存储密度。

此外，SK海力士的这项创新技术还能将单颗NAND Die及固态硬盘（SSD）的存储容量提升25%。