三星电子量产业界首款1c nm技术DRAM，良率突破盈亏平衡点
1 月 17 日消息，韩媒 IT Chosun 昨日报道称，三星电子的第六代 10 纳米级 DRAM 内存制程工艺（注：即 1c nm）目前的良率已提升至约 60%，突破了量产盈亏平衡点。此举被视
1月17日，韩国媒体IT Chosun发布报道称，三星电子在第六代10纳米级DRAM制程工艺（即1c nm）方面的良率已提升至60%左右，成功突破了量产盈亏平衡点。
这一进展被视为重要里程碑，因为三星电子的HBM4内存正是基于1c nm DRAM技术。随着DRAM晶圆良率提高，三星有望在HBM4产品上获得更多利润，从而进一步提升其业绩表现。
报道指出，三星电子近期改变了在1c DRAM上的策略，从以往优先考虑良率、谨慎推进量产的节奏，回归到快速进入量产以更灵活应对市场波动的传统模式。这种转变有助于三星从英伟达等重要客户手中赢得更多订单。
TrendForce集邦咨询此前分析称，在规格要求提升、现有HBM3E平台需求旺盛的背景下，HBM内存的量产最快可能在2026年第一季度未启动。届时，三星电子、SK海力士和美光仍有时间继续优化产品的良率表现。
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