英特尔CEO：内存芯片短缺或持续至2028年，价格已涨超60%

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（图片来源：摄图网）

近日，英特尔首席执行官陈立武在思科会议上透露，他与内存行业的关键人士沟通后获悉，芯片短缺的局面或将延续至少两年。供应紧张的状况预计直到2028年之前都难以缓和。这一时间点相比此前市场普遍预测的2025或2026年见顶，足足推后了两到三年，意味着本轮“超级周期”的持续力可能被市场严重低估。陈立武更是直言不讳：“据我所知，目前没有任何缓解的迹象。”

当前，内存芯片价格持续飙升，其核心驱动力源自AI算力革命引发的结构性供需失衡。AI技术的飞速发展，对数据处理和存储能力提出了前所未有的高要求，内存芯片需求因此呈爆发式增长。与此同时，供应端却面临产能转移与扩张滞后、库存低位与资本支出纪律收紧等多重困境。产能的调整和扩张并非一蹴而就，需要大量的资金投入和较长的建设周期，而库存低位和谨慎的资本支出策略又进一步限制了短期内的供应能力。这些因素共同形成共振效应，推动DRAM涨幅超过60%、NAND则上涨近40%。

内存芯片行业是半导体产业的核心支柱之一，广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机及数据中心等领域，是现代数字系统不可或缺的重要组成部分。

内存芯片涨价的影响迅速蔓延至众多消费电子品类，其中个人电脑和手机行业遭受的冲击最为显著。不少业内厂商纷纷表示，成本压力实在太大。内存芯片作为个人电脑和手机的重要组成部分，其价格上涨直接增加了产品的生产成本，压缩了企业的利润空间，给行业发展带来了巨大挑战。

此外，存储芯片行业是典型的技术、资金双密集型产业，构筑了极高的准入壁垒。产品设计周期长、工艺复杂、资金投入高，对研发能力和技术积累要求苛刻，这使得全球市场长期呈现高度寡头垄断格局。

全球市场份额长期被三星、SK海力士和美光科技三大巨头垄断。早在2024年，这三家企业就占据了DRAM市场94.14%的份额，其中三星独占43.03%，SK海力士占28.38%，美光占22.73%。在NAND Flash市场，三星、铠侠、西部数据、SK海力士、美光、英特尔六家企业的合计份额更是高达97%。

这种寡头格局意味着，当行业景气度上升时，上游供应商拥有绝对话语权，能够主导市场价格和供应节奏。而当供应链出现扰动时，下游厂商几乎没有议价能力，只能被动接受价格上涨和供应短缺的现实。

作为内存芯片行业下游的重要领域，智能手机市场深受内存芯片短缺和涨价之苦。不久前，Counterpoint Research表示，智能手机市场不太可能在2027年之前实现复苏，正常化预计要到2027年下半年乃至2028年初。为了应对这一持续性困境和存储芯片技术迭代、需求提升带来的成本压力，智能手机行业短期内将在成本、性能、创新之间寻求平衡。

1月27日，全球EDA和半导体IP领域的龙头企业新思科技首席执行官萨西尼·加齐在接受采访时也表示，芯片“短缺”现象将在2026年和2027年持续下去。加齐指出，目前全球顶尖厂商的大部分内存芯片“流向了人工智能基础设施，但许多其他产品也需要内存，所以如今这些其他市场因产能不足而陷入困境”。三星、SK海力士和美光作为全球最大的内存公司，虽然正致力于扩大生产，但要实现扩产目标，至少需要两年的时间，这也是此次短缺将持续下去的原因之一。