晶圆吸氧提升光刻效率,imec展示最新研究成果
IT之家 2 月 28 日消息,半导体光刻图案化的核心步骤是根据所需电路结构用光线照射涂覆在晶圆上的光刻胶,此后对于部分类型光刻胶需要进行烘烤来加速所需图案的呈现。比利时校际微电子研究中心 imec
2月28日,IT之家报道,半导体光刻图案化的核心步骤是根据所需电路结构,用光线照射涂覆在晶圆上的光刻胶。随后,针对某些类型的光刻胶,还需要进行烘烤处理,以加速所需图案的显影。

比利时校际微电子研究中心imec于本月25日指出,在测试平台上,适用于High NA EUV等先进光刻工艺的金属氧化物光刻胶,在氧气含量高于大气环境时,能够实现更显著的烘烤放大效果。这意味着,要达到相同的最终效果,所需的光刻照射剂量更低,从而有助于缩短光刻用时,提升生产效率。
imec在测试中采用了50%的氧气浓度,发现烘烤过程加速了15%至20%。这一趋势在商用金属氧化物光刻胶与模型光刻胶中均有体现,展现了优化半导体光刻全流程效率的新思路。
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