三星2nm工艺良率突破60%,量产目标获重大进展
据Wccftech报道,三星2nm GAA工艺良品率已提升至60%,距离70%的量产目标又近了一步。按照近期改进速度,三星有望在下半年进入大规模生产阶段时达成既定目标。相较于最早投产时的20%良品率
据Wccftech报道,三星2nm GAA工艺良品率已提升至60%,距离70%的量产目标又近了一步。按照近期改进速度,三星有望在下半年进入大规模生产阶段时达成既定目标。相较于最早投产时的20%良品率,目前已提高两倍。

此前有报道称,2026年三星晶圆代工业务或迎来转折点。2nm制程节点的开发和客户订单谈判进展顺利,预计2026年下半年进入大规模生产阶段。除特斯拉的大额订单外,三星正与来自美国和中国的主要客户进行谈判,预计今年2nm订单量将增长30%以上。
三星在3nm制程节点率先采用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管架构后,长期受良品率问题困扰,导致丢失了包括英伟达和高通在内的大客户订单。相比之下,台积电(TSMC)在2nm制程节点引入新晶体管架构后,2024年末试产时良品率就已超过60%。从这一角度看,三星仍需继续努力追赶。
根据此前规划,三星已为晶圆代工业务设定了两年内实现盈利的目标,并力争占据20%的市场份额。
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