铠侠计划2027年量产332层BiCS10闪存

关于铠侠下一代闪存技术BiCS10的量产时间，近期业界传出最新消息。据韩媒ZDNET Korea援引业内人士信息，铠侠已将第十代BiCS FLASH（BiCS10）的量产时间点规划在2027年。而具体的投资与生产细节，预计要到2026年下半年才会进一步明确。这一时间表相较于此前市场传闻的2026年量产有所延后。

铠侠的闪存技术路线图始终是行业关注的焦点。自BiCS8这一代起，铠侠引入了一项核心架构创新——CBA（CMOS直接键合至阵列）。这项技术的关键在于将NAND闪存中的存储单元与外围逻辑电路制造过程分离，实现了两者的独立优化与高效整合。基于这一先进架构，结合成熟存储单元技术与前沿CMOS工艺的BiCS9产品，已于去年向客户提供了工程样品。

那么，作为继任者的BiCS10闪存有哪些重要升级？其核心突破在于堆叠层数的显著提升。据悉，BiCS10将存储单元的堆叠层数大幅增加至332层，旨在满足未来数据中心、高端消费电子等领域对超大容量、高性能固态存储的强劲需求。在性能方面，它将支持高达4.8Gbps的I/O接口速率。更为重要的是，其位密度相比当前的BiCS8产品提升了59%，这意味着在同等芯片面积内能够存储更多数据，是实现更高性价比、增强市场竞争力的一项关键技术指标。