铠侠计划2027年量产332层BiCS10闪存
据业内消息,铠侠计划于2027年量产第十代BiCSFLASH闪存。该产品将采用332层堆叠技术,显著提升存储密度与性能,其位密度较当前产品提高59%,并支持4 8Gbps接口速率。量产时间较此前传闻略有推迟,具体投资细节预计2026年下半年进一步明确。
关于铠侠下一代闪存技术BiCS10的量产时间,近期业界传出最新消息。据韩媒ZDNET Korea援引业内人士信息,铠侠已将第十代BiCS FLASH(BiCS10)的量产时间点规划在2027年。而具体的投资与生产细节,预计要到2026年下半年才会进一步明确。这一时间表相较于此前市场传闻的2026年量产有所延后。

铠侠的闪存技术路线图始终是行业关注的焦点。自BiCS8这一代起,铠侠引入了一项核心架构创新——CBA(CMOS直接键合至阵列)。这项技术的关键在于将NAND闪存中的存储单元与外围逻辑电路制造过程分离,实现了两者的独立优化与高效整合。基于这一先进架构,结合成熟存储单元技术与前沿CMOS工艺的BiCS9产品,已于去年向客户提供了工程样品。

那么,作为继任者的BiCS10闪存有哪些重要升级?其核心突破在于堆叠层数的显著提升。据悉,BiCS10将存储单元的堆叠层数大幅增加至332层,旨在满足未来数据中心、高端消费电子等领域对超大容量、高性能固态存储的强劲需求。在性能方面,它将支持高达4.8Gbps的I/O接口速率。更为重要的是,其位密度相比当前的BiCS8产品提升了59%,这意味着在同等芯片面积内能够存储更多数据,是实现更高性价比、增强市场竞争力的一项关键技术指标。
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