芯联集成四期项目启动，加码AI服务器电源与光互联

事情要从6月11日说起。芯联集成（688469.SH）当天对外发布公告，计划在浙江省绍兴市合资新建一条12英寸数模混合芯片生产线，月产能规划为5万片。这已是该公司的第四期投资项目，总投资规模大约在200亿元，其中芯联集成自己出资30.12亿元，持股25.1%。放在当前产业语境下，这一举措不仅是芯联集成在新能源汽车与工业控制芯片领域固有优势的延续，更是一次系统性的战略卡位——它正借机切入AI服务器电源管理芯片与光互联芯片这两条高增长赛道。全球AI算力需求正处于爆发式增长阶段，叠加国内半导体产业自主可控趋势加速推进，这条产线的落地，本质上是为国内高端模拟、功率以及硅光芯片的制造能力“补短板”。

五大平台覆盖车规、AI 电源、硅光及锗硅等技术

那么，这个四期项目究竟要做什么？核心在于五大工艺平台的研发与制造，覆盖从成熟制程到先进节点的关键技术：

55nm至28nm车规级MCU及AI端侧DSP芯片平台——主要瞄准智能汽车、工业自动化和AIoT市场。其中AI端侧DSP芯片的布局值得关注，它旨在为边缘计算设备提供本地化算力支持，这也与当前大模型向端侧迁移的趋势高度契合。

90nm数模混合芯片平台——这里重点关注的是高性能、高功率、高可靠性的BCD工艺。其客户群主要集中在新能源汽车、工业控制以及高端消费电子领域。

55nm AI服务器高频电源管理芯片制造平台——直接对应AI服务器电源系统的迫切需求。简而言之，就是为CPU、GPU这类高性能计算芯片提供高功率密度、高效率的供电方案。全球数据中心对先进电源芯片的紧迫需求，正是这条产线存在的直接驱动力。

55nm硅光芯片平台——瞄准数据中心光互连、AI集群内部高速通信以及高速光模块。值得注意的是，该平台并非从零起步，它是在一期8英寸硅光产线和三期12英寸90nm硅光技术的基础上，进一步向55nm节点延伸产能。

面向光引擎的55nm SiGe（锗硅）跨阻放大器与激光驱动芯片平台——覆盖高速光模块的接收端和发射端核心电芯片。这一平台将与55nm硅光平台形成协同，最终提供“硅光芯片+配套电芯片”的完整解决方案，也就是说，客户能够获得一站式光引擎代工服务。

谈到光模块的BOM成本，光芯片与电芯片合计占比大约为70%到80%，而TIA与驱动器更是电芯片中的“价值高地”。随着全球AI算力需求的持续增长，数据中心光互连技术正从横向扩展向纵向扩展，甚至向封装内芯片间互连演进，硅光技术的重要性日益凸显。从这个角度看，芯联集成的布局实际上是在提前抢占战略要地。

产能将超40万片/月，卡位国内高端模拟及光互联制造

随着四期项目的规划落地，芯联集成的整体晶圆制造产能将迎来一次明显的跃升。在一期、二期、三期项目达产的基础上，公司总产能（折合8英寸）预计将超过每月40万片。

这次扩产的时间点选择非常精准。当前的市场窗口期特征十分明确：

首先，AI算力需求激增——全球大模型训练与推理的持续扩张，带动了AI服务器及其核心部件（电源管理芯片、光互联芯片）的爆发式增长。

其次，汽车电子化与智能化——新能源汽车渗透率快速攀升，单车半导体价值量大幅提升，尤其是车规级MCU、功率半导体，需求十分旺盛。

再者，高端模拟芯片的产能缺口——国内车规级、工控级高端模拟芯片长期处于供不应求状态，本土自主制造能力不足，核心产能高度依赖海外代工厂。

这次200亿元的投资，芯联集成显然不是单纯在做产能扩张。它一方面巩固了功率半导体、高端模拟芯片、MCU等领域的既有优势，另一方面也在加速推动国内硅光芯片的制造能力建设。未来在AI算力时代的基础设施赛道——也就是所谓的“芯基建”，它的位置将比今天更加靠前。