内存Q3价格环比涨幅达四至五成业内专家预测引华尔街震惊

财联社6月30日讯——近期，苹果与微软Xbox相继上调产品售价，再度将内存短缺引发的消费电子供应链危机推向公众视野。一位深耕存储器行业多年的专家向华尔街传递出一个相当冷静的判断：今年剩余时间及2027年，形势只会进一步恶化。

存储器行业资深顾问、前三星中国高管Ethan Tan，在向杰富瑞股票研究分析师分享时给出了具体预测：2026年第三季度，存储价格将较上一季度上涨40%至50%；第四季度还将继续攀升30%至40%。这一涨幅已远非轻微波动。

Tan的计算逻辑是：2026年半导体节点技术的进步仅能推动供应量增长7%到8%，这一增量根本无法填补需求的巨大缺口。因此，供应短缺将持续至明年，届时价格可能再攀升40%到45%。

这一涨幅，已超出西方投资者和杰富瑞内部研究团队此前的普遍预期。不过，Tan也给出了一个相对乐观的时间节点：随着供应量逐步增加以及人工智能需求增速放缓，2028年内存价格有望回落15%到20%。

涨价势头不减

三星、SK海力士和美光——这三家企业几乎垄断了全球的DRAM与NAND闪存生产。在人工智能数据中心，这些存储芯片的利润率远高于消费级PC、智能手机或游戏机，因此厂商们自然优先将产能向高利润领域倾斜。这正是消费电子领域内存短缺的根本原因。

目前，数据中心的需求已超越这三家公司的总产能，价格在四年内飙升了700%。消费级内存变得异常昂贵，苹果、索尼、微软等厂商只能跟随提价，最终买单的仍是普通消费者。

Tan还指出，像长鑫存储这样的中国厂商，今明两年的供应依然受限——主要原因是缺乏生产下一代芯片所需的先进制造技术，例如EUV光刻。这意味着，中国厂商短期内无法量产DDR6或HBM3E这类高规格产品。

不过，他同时提到，中国生产的DDR5内存已能满足消费级个人电脑的需求。预计到2028年，中国国产NAND闪存技术将与全球其他地区持平。

然而，尽管制造商与行业分析师普遍将价格飙升归因于AI基础设施需求，加州一项新诉讼却提出了不同指控：三星、SK海力士和美光这三家公司，涉嫌合谋利用这一行情人为推高价格。

若该案持续推进，这将是近30年来至少第三起内存价格操纵丑闻。此前，三星、SK海力士、美光，以及现已倒闭的英飞凌和尔必达的DRAM部门，曾在1998年至2002年间承认合谋操纵价格。2010年末内存价格飙升时，这三家巨头再次被怀疑操纵价格，但最终因证据不足在上诉中被驳回。加州这起诉讼能否拿出足够有力的证据，目前尚无定论。

（财联社 马兰）