曝iPhone 18 Pro混用TLC与QLC颗粒 存储自研方案
苹果iPhone18Pro不同存储容量混用闪存颗粒,其中256GB与512GB采用TLC方案,而1TB与2TB高配版则切换为QLC架构。全系均集成苹果自研的3纳米制程S6E存储控制器,支持PCIe5 0接口,其带宽性能可媲美UFS5 0标准,带来了更快的读写速度与能效提升。
7月2日,行业分析师Reptalicant曝光了iPhone 18 Pro的内部原理图和物料清单(BOM),其中一项细节引发广泛热议:不同存储容量的版本采用了截然不同的闪存颗粒方案——256GB与512GB版本沿用TLC架构,而1TB和2TB高配版则升级为QLC架构。

前代旗舰机型iPhone 17 Pro Max
泄露资料进一步显示,iPhone 18 Pro全系列均搭载苹果自研S6E存储控制器,采用3nm制程工艺,支持PCIe 5.0 x1接口,理论带宽可媲美UFS 5.0标准,功耗稳定控制在4W至5W区间。值得注意的是,在底层NAND闪存颗粒的选型上,苹果针对高容量版本实施了差异化的策略。
具体而言,256GB和512GB版本继续采用SK海力士、铠侠(Kioxia)等厂商的TLC NAND芯片,确保了读写寿命与长期可靠性;而1TB版本的主控闪存已更换为SK海力士BC8Q-1T QLC颗粒,部分批次还会混用三星TLC芯片作为补充。至于2TB顶配版,则全面搭载SK海力士BC8Q-2T企业级QLC NAND,其目标非常明确:进一步提升存储密度并优化成本控制。

图片来源于网络
值得关注的是,相比去年iPhone 17 Pro Max的2TB版本仍坚持采用TLC NAND,今年的同规格机型已全面转向QLC方案。这标志着苹果在高端移动设备领域正式引入更高密度、更具成本效益的QLC技术路线——对于存储容量敏感的用户而言,这无疑是一个不可忽视的变化。
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