BIOS设置各参数中英文对照表

先说一个已经过气的选项：Above 1MB Memory Test。它控制着开机自检时是否要检测1MB以上的内存。不过放到现在，这个选项已经彻底淘汰了——当年内存价格高昂，容量普遍较小，自检速度飞快。后来内存价格大幅下降，容量激增，动辄数GB，开机自检反而成了耗时环节。未来即便只做一次内存检测，估计BIOS也会提供开关，让用户自行选择是否跳过。

Auto Configuration：设为允许时，BIOS会按照最优状态自动配置内存时序，同时锁定部分手动调整入口。从省心角度考虑，建议直接开启——把专业的事情交给BIOS处理，避免自行调整引发兼容性问题。

Memory Test Tick Sound：即内存自检时发出的“滴答”提示音。若觉得吵，关闭即可，不影响系统运行。

Memory Parity Error Check：该选项用于决定是否启用内存奇偶校验。当年30线内存条流行时有一定作用，如今早已过时。但需注意——如果非奇偶校验内存强行开启此功能，电脑将无法点亮。

Cache Memory Controller：高速缓存控制器开关。在当年流行的Award BIOS中已很少出现，几乎形同虚设。

Shadow RAM Option：该选项决定是否将系统BIOS或显卡BIOS映射到常规内存中。映射后确实能提升速度，但若操作不当，极易导致死机。

Internal Cache Memory：CPU内部缓存（L1）的开关。开启可显著提升性能，建议保持开启状态。

External Cache Memory：CPU外部缓存（早期主板上的L2）的开关。同样开启可提升性能。不过自从AMD推出双级缓存CPU后，主板上的L2已退居三线，成为三级缓存。

Concurrent Refresh：字面意为“同时刷新”。允许CPU在处理其他I/O操作时，顺带完成内存刷新。这种并行处理可提升系统效率。

DRAM Read Wait State：CPU从内存读取数据时需要等待的时钟周期数。若内存速度慢于CPU，必须增加等待时间，否则可能读取到错误数据。

DRAM Write Wait State：同理，CPU向内存写入数据时的等待周期。当内存速度跟不上CPU时，适当增加等待周期反而有助于系统稳定。

Slow Refresh：质量较好的内存能更长时间保持数据，可适当延长刷新周期，从而节省总线带宽，使系统运行更快。

Shadow Cacheable：在已映射到常规内存的BIOS ROM上再启用高速缓存，可进一步提升性能。

Page Mode：将内存工作模式切换为Page Mode或Page Interleaved模式。这两种模式在当时是提升速度的有效手段。

RAS Timeout Counter：为加速Page Mode或Page Interleaved模式运行，系统会监控RAS周期。若RAS周期过长，计数器会自动将其复位为0，防止超时引发错误。

Memory Relocation：内存重新定位。简单说，就是将384KB上位内存（Upper Memory Block）的数据转移到1MB以上的扩展内存中，从而释放更多低端内存空间。

Memory Hole：也称“内存孔洞”。将地址15MB-16MB区域保留给某些特殊ISA扩展卡使用，可加速卡的工作速度或避免地址冲突。通常默认禁用，除非ISA卡手册明确要求开启。

DRAM Timing Setting：快页内存或EDO内存的速度设置，常见选项为60ns或70ns。但需注意，该设置对10ns甚至更快的SDRAM内存无影响。

Fast MA to RAS Delay：内存地址（MA）到行地址触发信号（RAS）之间的延迟。数值越小响应越快，但稳定性可能下降。

DRAM Write Burst Timing：CPU先将数据写入缓存，再批量写入内存时，该延迟时间用于控制此过程。

Fast RAS to CAS Delay：行地址触发信号到列地址触发信号之间的延迟时间，即RAS#下降沿到CAS#下降沿的间隔。

DRAM Lead-Off Timing：CPU开始读/写内存之前的预备时间。

DRAM Speculative Reading：设为允许时，读内存操作会提前一个时钟周期开始，相当于“预判”，可提升性能。

DRAM Data Integrity Mode：选择内存校验方式——Parity（奇偶校验）或ECC（纠错校验）。后者更高级，但需要内存硬件支持。

Refresh RAS Assertion：控制内存行地址刷新的时间周期。质量较好的内存可适当拉长刷新间隔，减少刷新频率，从而提升整体性能。

RAS Recharge Period：内存行地址信号每次访问后所需的预充电时间。过短会导致不稳定，过长则会拖慢速度。

Fast EDO Path Select：为EDO内存读写开辟一条快速通道，可提升速度，前提是内存类型为EDO。

SDRAM RAS Latency：SDRAM内存的行地址触发到列地址触发之间的延迟。通常用数字表示，如2或3，数值越小速度越快。

SDRAM RAS Timing：系统对SDRAM内存行地址的触发时间，本质上是刷新时间。该参数对稳定性影响较大。

Peer Concurrency：此项关乎系统并行能力。它允许CPU同时对高速缓存、内存、PCI设备，或PCI主控对外围设备等操作进行并发处理。系统智能程度越高，可并行执行的操作越多，整体性能提升就越明显。