澜起计划2026年完成第三代MRDIMM内存模组芯片研发
澜起科技计划2026年完成MRDIMM第三子代MRCD与MDB芯片工程研发,DDR5MRDIMMGen2速率达12800MT s;今年内完成PCIe7 0Retimer、PCIeSwitch及以太网PHYRetimer芯片样片流片;当前第二代MRDIMM规模试用,PCIe6 0Retimer预计2027年规模应用。
最值得关注的是,澜起科技的产品规划已延伸至2026年——届时将完成MRDIMM内存模组第三子代MRCD(多路复用寄存时钟驱动器)与MDB(多路复用数据缓冲器)芯片的工程研发。JEDEC此前已确认,DDR5 MRDIMM Gen2的速率将达到12800MT/s,这意味着未来MRDIMM的带宽极限将被进一步突破,第三子代产品的数据传输速率也会随之提升,这是产业持续演进的必然结果。
值得注意的是,在更高速互联领域,澜起科技今年的布局同样引人注目。按计划,PCIe 7.0 Retimer(重定时器)芯片、PCIe Switch(交换器)芯片以及以太网PHY Retimer芯片的工程样片(ES)流片,都将在今年内完成。这标志着企业在高速互联技术领域再次实现了前瞻性布局。
当然,从产业落地的节奏来看,目前MRDIMM仍处于第二子代产品的规模试用阶段,距离大规模商用尚需时日。而在CXL技术方面,产业界正在积极推动其落地与商业化,不少CSP(云服务提供商)厂商已在试用相关产品。至于PCIe 6.0 Retimer芯片,行业普遍预期要到2027年才会进入正式规模应用阶段。这才是关键所在——技术储备与实际应用之间,往往需要时间来验证与沉淀。
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