AI光模块与NV-CoWoP驱动mSAP-PCB扩容
AI光模块迭代与NV-CoWoP技术路线推动mSAP-PCB需求快速扩容。mSAP工艺可实现15微米以下线宽线距,成为高端PCB增量关键。上游直写光刻设备、电镀线、载体铜箔、药水及low-CTE电子布等材料设备需求随之增长,国产替代进程加速。
最近,国金证券发布了一份深度研究报告,重点分析了mSAP-PCB在高端市场中的扩容机遇。核心结论非常明确:高端PCB市场正在持续扩大,而mSAP-PCB技术正是推动这一增量增长的关键因素。下面,我们详细拆解这一技术路线带来的具体投资机会。
1、mSAP工艺:线宽线距的跨越式突破
mSAP工艺最初的目标是SLP(类载板)。所谓SLP,是指PCB的线宽线距介于传统PCB与IC载板之间。传统PCB和HDI板的线宽线距通常大于30/30µm,而IC载板可以实现15/15µm以下。mSAP的核心优势在于,它从极薄的层压铜箔(1.5-5.0µm)起步,以薄铜作为种子层,通过图形电镀和闪蚀工艺,实现了更高的线路精度。
相较于传统的减成法,mSAP在多个方面具有显著优势:
首先,图形电镀仅对所需区域进行镀铜,铜厚控制更精准;其次,正片曝光工艺提升了曝光精度;再者,快速蚀刻能够精确咬蚀超薄铜箔;最关键的是,线宽/线距可以轻松做到15µm以下,且垂直显影过程均匀无划痕。这些技术指标直接决定了mSAP在高端应用中的不可替代地位。
2、光模块+NV-CoWoS:催化mSAP-PCB快速放量
mSAP最早在消费电子领域落地。2017年,iPhone为了提升PCB的布线密度,率先提出了SLP需求,直接推动了mSAP工艺的发展。2018年,三星Galaxy也跟进采用了SLP设计。然而,真正的爆发点来自AI技术的推动。
AI带来的增量主要体现在两个方向:
一是光模块的迭代升级,从800G到1.6T再到3.2T,对PCB的承载能力要求越来越高,必须采用类载板(SLP),而mSAP是唯一能够匹配的制备工艺。二是英伟达等头部企业提出的CoWoS技术路线,该路线取消了传统封装基板,芯片直接通过硅中介层与高精度PCB主板连接,这倒逼主板线路必须细化、类载板化。一句话总结:AI算力需求的爆发,正在将mSAP-PCB推向高速增长通道。
3、mSAP-PCB对上游材料和设备的拉动效应
mSAP-PCB的快速扩容,直接拉动了上游设备和材料的需求。从产业链视角来看,以下几个方向值得重点关注:
(1)直写光刻设备:mSAP要求曝光线宽线距降至15µm,光模块和CoWoS技术拉动了SLP需求,下游厂商扩产意愿增强,这直接带动了mSAP直写光刻设备的需求。国内厂商中,芯碁微装是主要参与者,其设备性能已比肩海外同行,且交付周期明显短于海外厂商,有望在国产替代趋势中占据优势。
(2)电镀线:mSAP对铜厚均匀性的要求极其苛刻,必须控制在±5%以内,而传统工艺仅为±10%。这意味着对电镀精度的要求大幅提升,VCP(垂直连续电镀)和水平三合一电镀(除胶+沉铜+闪镀铜,用于mSAP前道种子层)设备成为刚性需求。国内电镀设备厂商中,东威科技在VCP领域市占率超过50%,海外拓展也在分阶段推进中。
(3)载体铜箔:日本三井金属目前占据了载体铜箔超过90%的份额,月产能约500万平方米,预计到2028年才提升至580万平方米,扩产幅度非常有限。但下游需求正在快速增长,除了光模块和NV-CoWoS,高端存储芯片目前也非常紧缺,海内外头部企业都在扩产,进一步放大了载体铜箔的供需缺口。上游供给偏紧,意味着下游客户将加快对国产产品的验证导入。国内参与者包括铜冠铜箔、方邦股份、德福科技等。
(4)药水:mSAP的技术难点主要集中在基铜、电镀、闪蚀等环节。闪蚀的目的是快速蚀刻掉基铜和电镀铜,但由于线路铜同时包含基铜和电镀铜,药水对两种铜的蚀刻速率存在差异,导致侧蚀成为控制难点。国内mSAP药水领域的主要参与者包括光华科技、天承科技等。
(5)low-CTE电子布:mSAP-PCB中的mSAP层预计会使用T布。T布的价格在2026年预计将继续上涨,因为日东纺的新T布产能要到2026年下半年才能释放,短期供应紧张的局面难以缓解。国内布局T布的企业包括宏和科技、中材科技、国际复材。
(6)low-dk二代布与HVLP4铜箔:1.6T光模块的mSAP-PCB中,HDI部分预计会采用M8+二代布+HVLP4铜箔的搭配。HVLP4铜箔方面,全球龙头三井金属正在扩产,这本身就是产业趋势的印证。从市场预期来看,ASIC平台(亚马逊、谷歌等)和NV在2026年的高阶方案都将大量采用HVLP4铜箔,因此2026年全系列PCB铜箔的涨价趋势较为明确。国内HVLP4有产能的主要是铜冠铜箔。而low-dk二代布,2026年存在明确的供需缺口。随着谷歌V8及以上TPU、NV-Rubin架构全面放量,对Low-Dk二代布的需求将大幅拉动。国内主要参与者包括国际复材、中材科技、宏和科技、中国巨石、光远新材。
总结而言,mSAP工艺适用于线宽线距要求高的场景(15µm以下),技术难点集中在基铜、电镀、闪蚀等环节。从消费电子起步,到AI光模块和NV-CoWoS的催化,mSAP-PCB正在快速扩容。对于上游材料设备,核心关注方向包括直写光刻、电镀线、载体铜箔、药水、low-CTE电子布,以及low-dk二代布和HVLP4铜箔。
风险提示:算力需求不及预期;行业竞争格局恶化的风险;原材料价格波动的风险。
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