SK海力士加速推进3D堆叠DRAM-on-Logic芯片技术

SK海力士在终端侧AI内存领域再度发力，其3D堆叠DRAM技术正加速推进。公司不仅启动了相关工程人才的招聘，还与美国客户同步开展芯片联合设计。这一布局，比业界预想的节奏更为迅速。

简单来说，该技术将DRAM直接堆叠在逻辑芯片之上，形成三维立体架构。它打破了传统PoP封装的物理限制，使存储单元与计算单元之间的互连距离显著缩减，数据通路数量大幅增加。由此带来的直接优势包括：更高的带宽、更低的延迟，同时优化了功耗和芯片空间利用率。这好比将原本隔了好几层楼的两个部门搬到同一层办公，沟通效率自然大幅提升。

根据最新招聘信息，SK海力士正在美国圣何塞招募3D堆叠DRAM-on-Logic设计工程师，核心职责是与本地客户深度协同，主导逻辑芯片部分的联合开发与定制化设计。这已不再是实验室的初步探索，而是标志着技术迈过了概念验证阶段，进入了产业化前期的工程落地阶段。

驱动这一布局的核心动力并不难理解：终端侧AI应用场景正在快速扩张。生成式人工智能已渗透到智能手机、可穿戴设备、服务机器人等消费级与专业级终端中，这些设备对本地AI推理能力的要求日益提升。它们需要内存方案同时满足高带宽、低功耗、小尺寸等条件，而现有的主流封装形式在性能和集成度上已接近天花板。

业内普遍认为，智能手机处理器有望成为该技术的首个规模化商用场景，因为其集成度高、算力需求强，且产业链基础成熟。事实上，主流芯片厂商一直在先进制程和异构封装上持续投入，目标正是支撑终端侧AI能力的持续升级。

值得关注的是，SK海力士此前在高性能计算领域已凭借HBM技术确立了市场领先地位。此次将技术重心延伸至终端侧，推出3D堆叠DRAM-on-Logic方案，意味着它正在系统性地构建一套覆盖云端与终端的全栈AI存储产品体系。简而言之，就是在为下一波AI内存竞争提前布局。

今年四月，公司管理层曾公开透露，除定制化HBM外，还在同步推进高带宽闪存HBF以及3D堆叠DRAM-on-Logic等新一代存储方案。目标非常明确：针对不同AI负载类型，提供更差异化、更适配的硬件支持。

归根结底，HBM服务于数据中心级别的AI算力需求，而3D堆叠DRAM瞄准的是移动终端、边缘设备等终端侧AI场景。此次的人才招聘动作，清晰地传递出一个趋势：AI内存的技术演进和市场竞争，正从云端加速向终端延伸，并且将不断深化。