国产光芯片突破：6英寸InP激光器与探测器外延工艺成功研发，成本有望大幅降低

8月19日消息，湖北九峰山实验室今日宣布，近期在磷化铟（InP）材料技术上取得重大突破，成功开发出6英寸InP基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，其关键性能指标已达到国际领先水平。

这也是国内首次在大尺寸磷化铟材料制备中，实现从核心装备到关键材料的全链路国产化协同，为我国光电子器件的产业化发展提供了坚实支撑。

作为光通信、量子计算等众多前沿领域的核心材料，磷化铟（InP）长期以来受限于大尺寸制备的技术瓶颈。此前业界主流仍停留在3英寸工艺阶段，高昂的成本难以满足下游产业快速扩张的需求。

九峰山实验室依托国产MOCVD设备和自主InP衬底技术，成功攻克了大尺寸外延均匀性控制难题，率先实现了6英寸InP基PIN探测器与FP结构激光器的外延工艺突破，多项核心指标达到国际一流，为6英寸磷化铟光芯片的规模化量产奠定了基础。

材料关键性能表现如下：

• FP激光器量子阱PL发光波长片内标准差表现优异
• PIN探测器材料本底浓度达11000 cm²/V・s

九峰山实验室指出，随着全球光电子产业的高速发展，光通信、激光雷达、太赫兹通信等应用对磷化铟材料的需求正呈现爆发式增长。根据Yole预测，到2027年，磷化铟光电子市场规模将达到56亿美元（约合402.33亿元人民币），年复合增长率高达14%。

此次6英寸工艺的突破，有望将国产光芯片的生产成本降至原有3英寸工艺的60%-70%，显著增强国产光芯片在国际市场的竞争力。

值得一提的是，九峰山实验室此次实现了与国内供应链的协同创新，对推动我国化合物半导体产业链的整体发展具有重要意义。例如，合作方云南鑫耀已在6英寸高品质磷化铟单晶片的产业化关键技术方面取得突破，即将进入量产阶段。

未来，实验室将继续优化6英寸InP外延平台，加速下游产品验证，不断提升产业链自主可控能力，助力我国光电子产业实现全面升级。

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