国产光芯片突破：6英寸InP激光器与探测器外延工艺成功研发，成本有望大幅降低

8月19日，湖北九峰山实验室正式对外发布重大科研进展：该机构在磷化铟(InP)材料研发上取得里程碑式突破，成功研制出6英寸磷化铟基PIN型探测器和FP型激光器的外延生长工艺，核心参数达到国际一流水准。

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这是我国首次在大尺寸磷化铟材料制备上实现从关键设备到基础材料的全流程自主可控，为我国光电产业的发展奠定了坚实基础。

磷化铟(InP)作为光通信、量子计算等领域的关键基础材料，其产业化应用长期以来受限于大尺寸制备技术瓶颈。目前全球主流工艺仍停留在3英寸阶段，高昂的生产成本难以满足下游产业快速发展的需求。

九峰山实验室通过自主研发的MOCVD设备和磷化铟衬底技术，攻克了大尺寸外延工艺中的均匀性控制难题，全球首创6英寸磷化铟基PIN型探测器和FP型激光器外延生长技术。这一突破为6英寸磷化铟光芯片的量产铺平了道路。

关键性能参数：

• FP型激光器量子阱的PL发光波长片内标准差<1.5nm，组分与厚度均匀性<1.5%
• PIN型探测器材料的本底浓度<4×10¹⁴cm⁻³，迁移率>11000cm²/V・s

九峰山实验室表示，随着全球光电产业的高速发展，光通信、激光雷达、太赫兹通信等领域对磷化铟的需求呈现爆发性增长。根据Yole预测，到2027年全球磷化铟光电子市场规模将达到56亿美元（约合402.33亿元人民币），年均复合增长率高达14%。6英寸磷化铟工艺的成功研发，可将国产光芯片生产成本降至原有3英寸工艺的60%-70%，显著提升我国光芯片的国际竞争力。

此次技术突破实现了产业链的全环节创新，对促进我国化合物半导体产业链协同发展具有重要意义，为产业链安全自主可控提供了有力保障。据了解，实验室合作的云南鑫耀公司已在6英寸高品质磷化铟单晶片的量产技术上取得关键进展。未来实验室将继续优化6英寸外延技术平台，加速下游产品验证，持续提升产业链自主可控能力，助力我国光电产业转型升级。