三星电子Q1 DRAM价格涨幅上调至100%，时隔一月再度飙升

人工智能基础设施投资热潮持续升温，全球内存市场供需失衡加剧，三星电子一季度DRAM价格涨幅最终锁定在100%以上，较一个月前的谈判结果再度上调。

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4月3日，据韩国科技媒体The Elec报道，三星电子已于上月与主要客户完成一季度DRAM供货价格的最终谈判，服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%，价格较去年四季度实现翻倍，部分客户及产品类型的涨幅甚至超过100%。

报道援引业内知情人士透露，谈判已全面收尾，部分海外客户已完成付款。此次涨幅较今年1月协商的70%水平，在短短一个月内再度扩大约30个百分点。

价格的快速攀升正在重塑内存行业的合同惯例。供货谈判周期已从传统的年度合同压缩至季度合同，如今甚至需要按月调整，折射出市场供需失衡的严峻程度。

HBM挤占产能，通用DRAM供应受限

此轮DRAM价格急涨的核心驱动力，源自人工智能基础设施投资的全球性扩张。随着数据中心运营商大规模部署AI芯片，支撑算力运行的高带宽内存需求急剧攀升。三星电子、SK海力士及美光纷纷将产能向HBM倾斜，导致面向服务器、PC及移动终端的通用DRAM供给受到明显挤压。

供给收缩的同时，需求端热度不减。AI服务器、AI+PC及AI智能手机等终端产品需求持续旺盛，供需缺口不断扩大，推动价格持续走高。据报道，部分海外科技巨头为锁定供货量，已专程赴韩与三星电子等内存厂商展开直接接洽，进一步加剧了市场紧张预期。

SK海力士与美光涨幅相近

此轮涨价并非三星电子单独行动。报道援引业内人事称，SK海力士与美光同样以相近幅度完成一季度供货合同谈判，三大内存厂商集体提价的格局已基本成型。

回溯今年1月，三星电子DRAM季度合约价涨幅约70%，NAND涨幅达100%，彼时已引发市场广泛关注。而此次DRAM涨幅进一步扩大至100%以上，表明在持续博弈过程中，需求增速持续超出供给扩张节奏，迫使价格中枢再度上移。

涨势料延续至二季度

市场对内存价格的上行预期依旧强烈。报道援引研究机构Gartner预测，今年DRAM与固态硬盘价格合计将较去年上涨约130%。英伟达上月25日交出历史最佳业绩答卷，进一步打消外界对AI泡沫的疑虑，为内存需求的持续扩张提供有力支撑。

据报道援引业内人事称，二季度DRAM与NAND价格仍将延续涨势，涨幅或有所放缓，但价格上行本身已是不可逆转的趋势。对于下游客户而言，内存采购成本的持续攀升，将进一步推高服务器及终端设备的整体成本结构。