韩国法院禁止两名前三星员工2027年4月30日前加入SK海力士

韩国水原地方法院近期作出的一项裁决，为半导体行业的人才流动划定了清晰边界。三星电子针对两名前NAND闪存设计工程师跳槽至SK海力士提起诉讼，法院部分支持了三星的竞业限制请求——这两名员工在2027年4月30日之前，不得为SK海力士及其关联公司提供服务。这18个月的“就业冷静期”，揭示了韩国存储芯片两大巨头之间一场无声的技术人才争夺战。

事件的起因源于三星对核心研发人才流失的深切担忧。这两名员工在三星存储器部门工作了10至11年，深度参与NAND闪存设计，堪称核心技术骨干。今年2月，他们选择跳槽至SK海力士。三星方面自然无法接受，依据双方签署的竞业禁止协议，向法院申请对二人实施为期两年的就业限制。

法院审理后认定，涉案的NAND闪存设计技术属于韩国“国家核心技术”范畴——这一分类意味着该技术具有极高的战略价值，并非普通技术所能企及。因此，有必要对前员工施加一定期限的竞业限制，以保护企业的合法权益和商业秘密。不过，法院并未完全采纳三星的诉求，将两年限制缩短为18个月。换言之，到2027年4月30日，这两名员工即可自由选择职业方向。

作为全球存储芯片市场的两大巨头，三星电子与SK海力士在NAND闪存领域的竞争已进入白热化阶段。高端设计人才的流动，直接关系到双方的技术优势与市场格局。此次裁决既是对企业商业秘密保护机制的回应，也为整个行业敲响了警钟：人才流动固然重要，但“国家核心技术”这条红线，绝不能轻易逾越。