全球三大存储芯片厂商开启HBM4良率竞争

7月22日，一则海外消息让存储芯片领域的竞争再度升温——三星电子、SK海力士与美光科技这三大HBM巨头，正式在HBM4的良率上展开正面较量。作为第六代高带宽内存，HBM4将直接搭载于英伟达下半年发布的Vera Rubin等AI加速芯片之上。可以说，谁能在良率上占据优势，谁就将掌握下半年业绩的关键。

三星率先实现HBM4规模化量产，业内预估其良率已接近70%。这一成果得益于1C工艺DRAM的持续推动——年初该工艺良率稳定在80%以上，为HBM4的良率管控奠定了坚实基础。简而言之，三星在这一领域的基础较为扎实。

SK海力士虽未公布精确良率数据，但行业普遍认为其也已进入稳定区间。为巩固超过一半的HBM市场份额，这家韩国巨头正洽谈引进新生产设备，在优化工艺的同时扩大产能——显然，它不愿给对手留下任何可乘之机。

美光方面，产能基础相对薄弱，目前正加速推进良率爬坡，并同步进行大规模设备投资，目标明确：尽快提升产出能力。毕竟在HBM赛道上，掉队将意味着失去未来数年的增长红利。

良率，即合格芯片占全部产出芯片的比例，直接决定交付量与盈利空间，是各家攻坚的核心。尽管此前通用DRAM的短期利润一度反超，但涨价空间已明显收窄——一季度价格几乎翻倍，二季度回落至30%–50%，三季度预计仅为0%–20%。而HBM需求持续扩张，高毛利优势将重新主导局面。

业内人士指出：“三星抢先实现HBM4量产，良率提升带来的供货增量与利润增长已在二季度财报中充分体现。下半年这一趋势将持续，三大存储企业的良率竞争只会愈发激烈。”换言之，这轮竞赛才刚刚开始，真正的较量还在后面。