国产LPDDR6 IP被三星SK海力士采用覆盖3nm工艺
中国芯动科技自研LPDDR6 5XCombo内存接口IP,被韩国三星电子或SK海力士采用,单通道数据传输速率14 4Gbps,带宽达到38 4GB s,集成ECS校准与ECC纠错功能,专门针对AI场景进行优化,完全采用国产EDA工具进行设计,覆盖28纳米至3纳米先进工艺,目前已支持超过100亿颗SoC量产。
7月29日,国内知名IP厂商芯动科技在上海举办新品发布会,正式宣布其自主研发的LPDDR6/5X Combo内存接口IP已被一家韩国头部DRAM制造商采纳。尽管官方未公开具体客户名称,但业界普遍推测该客户为三星或SK海力士——毕竟能够拿下此类订单的,唯有这两家国际存储巨头。
从技术参数来看,这款LPDDR6 IP的单通道数据传输速率达到14.4Gbps,较上一代LPDDR5X提升了约50%。这一性能飞跃并非偶然,核心驱动力来自LPDDR6架构本身的升级:传输通道从16位扩展至24位,单芯片峰值带宽因此飙升至38.4GB/s。换算下来,相当于每秒可处理近40GB的数据,对AI大模型及高端移动设备而言,堪称“高速公路”级别的带宽保障。
除了速率提升,这款IP在功能层面同样扎实。它集成了ECS自动/手动校准、Link ECC纠错、DVFSL动态调压,以及x24/x48突发模式等多项特性。这些技术术语或许略显抽象,但简单理解就是:它能确保数据传输更稳定、更精准、更省电,尤其在高负载场景下依然保持可靠表现。
值得特别关注的是AI场景的专项优化。芯动科技针对大模型长上下文场景下的高频KV Cache读写操作,进行了端到端的时序优化与信号完整性仿真迭代。通俗来说,就是让数据在多次读写过程中尽可能减少丢包和抖动——这对于动辄处理数十亿参数的大模型而言,是实实在在的刚需能力。
还有一个关键点需要强调:这套IP完全采用国产EDA工具集设计,工艺节点覆盖28nm至3nm。这意味着从设计到验证,它彻底绕开了海外工具的依赖,是一套真正意义上的“国产化”解决方案。芯动科技官方透露,其IP已累计支持超100亿颗SoC量产。此次拿下韩国巨头订单,从某种意义上标志着国产IP在高端存储接口领域实现了真正的反向输出——过去是别人卖给我们,如今轮到我们向他们供货了。
发布会上,芯动科技还同步展示了完整的高端存储与互联IP矩阵,包括HBM4、GDDR7、DDR5 MRDIMM、PCIe 6.0及224G SerDes等方案。三星、台积电、中芯国际等30余家产业链头部企业出席了本次发布会。从参会阵容不难看出,芯动科技在高端IP领域的布局已获得产业链上下游的广泛认可。
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