三星HBM4良率达70%，SK海力士美光急追

7月22日，HBM4领域迎来新动态：第六代高带宽存储器已在AI加速芯片上完成技术落地，三星、SK海力士与美光三大存储巨头围绕良率展开激烈竞争。良率直接决定出货量与盈利能力，任何一家落后，都可能被淘汰出局。

三星此次行动迅速，率先实现HBM4的规模化量产。业界估算其良率已接近70%的水平。这一成绩背后，得益于年初1C制程DRAM良率稳定超过80%的带动。简而言之，三星在良率管控方面表现突出，目前明显领先于竞争对手。

SK海力士方面，尽管未公布精确数字，但业内普遍认为其良率也已进入稳定区间。为守住超过半数的HBM市场份额，该企业正洽谈引进新设备，通过优化制程扩大产能，明确不希望让三星一家独大。

美光的情况则更为紧迫。其产能基础相对薄弱，因此正加速推动良率爬坡，并同步进行大规模设备投资，全力提升产出能力。三大厂商的竞争焦点已全面回归到HBM这条主线上。

业内人士指出，三星抢先量产带来的业绩增量已在第二季度财报中有所体现，且这一趋势大概率在下半年延续。不过，三星虽抢占先机，但SK海力士凭借HBM3时代的深厚积累，仍有反超可能。随着Vera Rubin等AI加速芯片逐步进入量产导入阶段，全球前三强在HBM4良率上的博弈只会愈发激烈。