三星HBM4良率达70%,SK海力士美光急追
三星HBM4良率接近70%,率先实现规模化量产。SK海力士良率稳定,洽谈引进新设备扩大产能。美光加速良率爬坡,大规模投资提升产出。三家存储巨头围绕HBM4良率展开激烈竞争,未来博弈将更加白热化。
7月22日,HBM4领域迎来新动态:第六代高带宽存储器已在AI加速芯片上完成技术落地,三星、SK海力士与美光三大存储巨头围绕良率展开激烈竞争。良率直接决定出货量与盈利能力,任何一家落后,都可能被淘汰出局。
三星此次行动迅速,率先实现HBM4的规模化量产。业界估算其良率已接近70%的水平。这一成绩背后,得益于年初1C制程DRAM良率稳定超过80%的带动。简而言之,三星在良率管控方面表现突出,目前明显领先于竞争对手。

SK海力士方面,尽管未公布精确数字,但业内普遍认为其良率也已进入稳定区间。为守住超过半数的HBM市场份额,该企业正洽谈引进新设备,通过优化制程扩大产能,明确不希望让三星一家独大。
美光的情况则更为紧迫。其产能基础相对薄弱,因此正加速推动良率爬坡,并同步进行大规模设备投资,全力提升产出能力。三大厂商的竞争焦点已全面回归到HBM这条主线上。
业内人士指出,三星抢先量产带来的业绩增量已在第二季度财报中有所体现,且这一趋势大概率在下半年延续。不过,三星虽抢占先机,但SK海力士凭借HBM3时代的深厚积累,仍有反超可能。随着Vera Rubin等AI加速芯片逐步进入量产导入阶段,全球前三强在HBM4良率上的博弈只会愈发激烈。

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