三星电子记忆体晶片今年需求强劲 动能延续至2027年
三星电子技术长近日表示,受AI应用驱动存储芯片市场整体需求持续强劲,预计2026年增长动能可望延续至2027年,其中新一代高频宽记忆体HBM4客户反馈极为正面乐观,HBM系列产品及先进DRAM被视为中长期稳健增长品类。
先说一个核心判断:2026年全球存储芯片市场的主旋律,依然是AI驱动的旺盛需求,而且这股势头很可能会延续到2027年。三星电子半导体事业部技术长宋在赫(Song Jai-hyuk)在Semicon展会期间明确表态,AI应用对高效能运算和海量数据处理的渴求,已经成为整个存储市场增长的关键引擎。

宋在赫透露,客户对三星即将推出的下一代高频宽记忆体(HBM4)反馈“极为正面”——这话从三星技术高管嘴里说出来,分量不轻。它从侧面印证了市场对新一代AI专用存储解决方案的认可度,已经达到相当高的水平。
随着AI服务器、云端数据中心以及高阶运算平台的持续扩张,HBM和先进DRAM被业界普遍视为中长期稳健增长的品类。三星自然不会放慢脚步,技术研发与量产部署的节奏都在明显加快。归根结底,这一轮存储周期的底色,就是AI对算力的强烈渴求。
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