铠侠与闪迪拟合作在美国建设NAND晶圆厂
11月28日行业消息披露，存储巨头铠侠与美国闪迪正着手评估在美国新建NAND闪存制造工厂的可行性。此举被视为对美日两国政府加强半导体供应链本土化战略部署的直接响应。
目前铠侠-闪迪联盟旗下的NAND晶圆厂均坐落于日本境内（四日市与北上市），而全球近90%的NAND产能集中在东亚地区。
值得注意的是，三星电子、SK海力士及美光三大存储原厂此前公布的美国建厂计划均未涉及NAND业务，使得此次潜在动向更具战略深度。
然而在美建厂面临显著挑战，台积电亚利桑那州项目便是前车之鉴：2020年5月宣布的凤凰城工厂直至2024年4月才正式动工，实际量产时间较原计划大幅推迟，暴露出美国本土半导体制造在工程管理、人才供给等方面面临的系统性考验。
行业分析指出，即便铠侠与闪迪最终推进美国建厂计划，从选址决策到设备调试至少需要3-5年周期。这意味着未来两至三年内，全球NAND闪存供应格局将维持现有态势，新建工厂短期内难以对市场产生实质性影响。
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