AI引爆存储市场头部业绩倍增 行业开启扩产潮

21世纪经济报道记者骆轶琪

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在AI需求旺盛和涨价声浪下，存储头部厂商的业绩普遍再创新高。

近日，希捷、SK海力士和三星电子等多家头部存储厂商发布业绩财报，2025年第四季度业绩均再超预期。其中，SK海力士更是实现2025年营业利润翻番。

其核心增长引擎，无疑是AI快速发展下对存储的需求攀升。21世纪经济报道记者综合梳理发现，对此，有大厂已经开启了密集扩产和合作动作，加大2026年资本开支是普遍现象。

仅在今年1月，美光科技（Micron）就连续宣布多个动作，旨在加码供应。不过按照投产周期看，这些产能释放普遍要等到2027年下半年甚至以后。

当然全球存储巨头对后市的态度有所差异，他们都将重要精力押注何方？

1月29日，韩国存储“双雄”先后召开财报业绩会，宣布了再创新高的业绩表现。

在2025年第四季度，SK海力士三大指标均创下季度历史新高：营收环比增长34%至32.83万亿韩元；营业利润环比增长68%至19.17万亿韩元，营业利润率为58%。

三星电子第四季度存储业务实现销售收入37.1万亿韩元，环比增长39%、同比大涨62%，这一增速远超集团整体24%的销售同比增速；期内DS（设备解决方案）业务（包括存储和晶圆代工两项）的营业利润为16.4万亿韩元，环比大增134.29%、同比暴增465.52%。

“2024年的存储市场，下滑程度可谓‘惨烈’，但到2025年突然爆发了。”一名存储行业从业者对21世纪经济报道记者回顾道。

从SK海力士的财报中可以明显看到2025年行情逐季走强态势。在一季度，旗下DRAM产品的ASP（平均销售价格，以下简称“售价”）环比相对平稳，NAND的售价环比还在下滑约20%，这也成为彼时多家存储头部厂商对NAND持减产态度的来由。

第二季度，DRAM市场开始逐渐回升，售价环比出现低个位数百分比（通常指低于5%）上升，NAND仍然有高个位数百分比环比下滑。三季度进一步有所回转，DRAM售价环比上涨5%，NAND售价环比上涨低双位数（约指15%以内）百分比。

四季度则开始出现明显上行态势，DRAM售价环比上涨约25%，NAND售价环比上涨超30%。

2025年全年来看，SK海力士收入达97.15万亿韩元，营业利润47.21万亿韩元。相比2024财年，公司营收66.19万亿韩元、营业利润23.47万亿韩元的表现可见，去年全年，SK海力士的营业利润实现翻番，盈利能力显著提高。

三星电子的存储业务2025年实现销售额104.1万亿韩元，同比增长23%；DS业务全年整体实现营业利润24.9万亿韩元，同比增长65%。不过考虑到三星的DS业务涵盖存储和晶圆两大领域，难以从财报层面单独窥见单项业务的盈利表现。

在2024年存储市场逐渐承压的背景下，2025年头部存储大厂普遍将经营策略转向提高盈利能力、转而缩减（退出部分业务或减少资本开支）盈利能力不够的业务，这成为当前存储市场面临紧俏行情的背景之一；另一个原因则是，有限产能叠加全球头部云服务厂商对AI基础设施的积极投产，造成供需失衡。

最终证实，这实实在在让存储巨头的财报“大翻身”。这一趋势将延续到2026年。

回顾2025年第四季度时，三星电子方面谈到，尽管供应有限，但存储业务通过满足强劲的传统DRAM需求，同时在整体价格上涨的情况下扩大HBM（高带宽内存）销量，实现了季度收入和营业利润的历史新高。期内公司专注增加的高附加值产品，涵盖HBM、服务器DDR5和企业级固态硬盘等。

SK海力士高管在业绩会上提到，随着人工智能市场从训练转向推理，同时分布式架构的需求不断扩大，内存的作用将变得日益关键。因此，不仅像HBM这类高性能内存的需求预计会持续增长，包括服务器DRAM和NAND在内的整体内存产品的需求也会如此。

在DRAM业务方面，SK海力士的HBM营收同比增长超过一倍，为公司创纪录的业绩作出了重大贡献。尽管NAND业务上半年需求疲软，但得益于下半年以eSSD为核心产品来响应客户需求，推动公司年度营收创新高。

旺盛的AI基础设施投资需求下，存储大厂也正加大资本开支。

美光科技近期就有颇为频繁的动作。

1月16日，公司宣布其位于美国纽约州的尖端存储芯片制造园区破土动工，计划总耗资1000亿美元，最多将建设四座晶圆厂，届时将成为美国最大的半导体工厂。这也是美光持续扩大在美投资的一部分，其整体愿景是在美国投资2000亿美元，建设多座晶圆厂，目标是最终40%的DRAM在美国生产。

1月17日，美光科技宣布拟以18亿美元现金收购中国台湾力积电铜锣乡P5制造工厂，旨在丰富美光存储供应能力；此外公司还与力积电宣布达成战略合作伙伴关系，由力积电为美光提供晶圆后封装加工服务。

美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia表示，此次战略性收购将补充公司在中国台湾的业务，该工厂邻近美光的台中工厂，将形成协同效应。

1月26日，美光再度宣布，其位于新加坡的先进晶圆制造工厂破土动工，计划在10年内投资约240亿美元，满足人工智能相关的NAND需求。

新加坡也是美光在亚洲重点投资的市场。其此前宣布的HBM先进封装工厂也位于新加坡同一制造园区内，有望在2027年开始供应，公司预计，由此其NAND和DRAM生产之间将产生协同效应。

SK海力士方面的态度则显得略为谨慎。

公司高管提到：“预计2026年资本支出将大幅增加，但仍将坚持资本支出纪律。”在供需失衡情况下，公司将通过加强合作伙伴关系，优先满足客户需求。为此，公司计划尽早最大限度地提升韩国清州M15X工厂的产能，美国印第安纳州的先进封装晶圆厂也在按计划进行；公司还打算通过在韩国龙仁半导体集群建设首座工厂，确保稳定的中长期生产能力。

不过从投产/扩产到真正实现产能，其周期相对较长。有存储从业者告诉21世纪经济报道记者，对于新厂来说，从购入新设备到实现量产，通常需要18-24个月周期，因此即便在2025年下半年启动新产能建设，也需等到2027年才能形成有效供给，短期内供应缺口难以填补。

不难发现，头部存储厂商即便在积极扩充产能，但核心仍然直指弥补AI基础设施相关需求的产品。相比之下，包括手机、PC等在内的消费电子可能仍将面临一段时间的涨价困扰。

这可能也与公司对细分市场的趋势展望有关。

SK海力士高管在展望2026年时指出，预计DRAM市场需求同比增速超过20%，NAND同比增速则大约在20%以内。对于服务器市场来说，内存需求的重要性日益提升，预计该细分市场在2026年将实现超过15%的增长。对于手机和PC市场来说，在元器件成本上升和消费者信心减弱的情况下，预计短期内存储需求会有所调整。

当前存储行业的强劲增长，不仅是市场周期的简单反弹，更是AI技术产业化进程中基础设施需求的结构性爆发。存储已从传统的配套角色，逐步演变为决定算力效能的关键一环。厂商在扩产的同时，更聚焦于高带宽内存、企业级固态硬盘等高附加值产品，推动行业向技术密集与价值上行方向演进。

存储产业正步入一个由AI定义的新成长周期，其发展轨迹也将深度映射全球科技创新的步伐与方向。