消息称三星电子 SF1.0 工艺采用 forksheet 器件结构，目标 2030 年前开发

三星电子计划在2030年前开发基于 forksheet 结构的 1nm SF1.0 工艺

近日，半导体制造领域传出重要技术进展。据《韩国经济日报》3月31日援引行业内部人士消息，三星电子晶圆代工厂已经制定了一项直至2030年的详细技术路线图。该计划的核心目标是，在2030年之前完成1纳米（1nm）级别尖端制程——即SF1.0工艺——的研发，并将其成功导入批量生产阶段。此举标志着三星正全力向全球最先进的芯片制造技术发起冲击。

那么，备受业界关注的SF1.0工艺究竟有哪些技术亮点？报道披露，该工艺将采用一种名为“forksheet”（叉片）的新型晶体管架构。本质上，这是对当前主流的纳米片全环绕栅极技术的一次关键性演进。通过在标准结构中介入一道特殊的介质隔离墙，该设计能实现对相邻晶体管单元更有效的电气隔离。这一结构性改良绝非微小调整，它能够显著提升芯片的晶体管集成密度与整体运算性能。

深入来看，forksheet结构技术路线又衍生出两种主要设计方案：其一是“内壁”型，即介质隔离墙被精确置于n型晶体管与p型晶体管之间；其二是“外壁”型，隔离墙则被布局在p-n结的外围区域。这两种技术路径在性能、功耗与制造复杂度上各有侧重，如何权衡与优化将成为未来工艺开发的核心挑战与看点。

毋庸置疑，通往1纳米制程的道路并非一蹴而就。在实现SF1.0这一终极目标前，三星的先进制程路线图已设定了关键的中期节点。报道进一步指出，三星计划于2027年率先实现SF2P+工艺的量产与商业化应用。更具里程碑意义的是，特斯拉已确认其下一代人工智能芯片AI6将采用三星的SF2T工艺，并同样规划在2027年投入量产。这不仅是对三星代工技术实力的有力验证，也预示着未来几年在高端AI芯片与高性能计算赛道的竞争将空前激烈。总体而言，从2纳米迈向1纳米的每一次工艺迭代，都如同在逼近物理极限的边缘探索，三星能否如期兑现这份雄心勃勃的技术蓝图，全球半导体产业正屏息关注。