我国首台光芯片纳米压印光刻机正式交付突破

2026年6月8日，璞璘科技正式向深圳力策科技交付了一台型号为PL-AS的半导体级真空气压式纳米压印光刻机。这台设备在行业内关注度极高——它不仅是国内首款专用于光芯片的纳米压印光刻设备，更标志着国产光刻技术迈出了里程碑式的一步。

本次交付的PL-AS，完全绕开了深紫外光刻技术路线，直接实现了8英寸光芯片晶圆的规模化量产。简单来说，这是一条不依赖传统DUV的新思路，在技术路径上可谓独辟蹊径。

那么，它的性能参数究竟如何？核心指标相当硬核：线宽分辨率小于10纳米，晶圆整面压印压力的均匀性误差低于0.5%。同时，它支持无残余层压印工艺——这意味着光刻完成后几乎没有多余的膜层残留，大幅简化了后续工序流程。

该设备采用面接触气压工作模式，晶圆各区域受力均匀，能够将残余层厚度偏差控制在2纳米以内。相比之下，传统的辊压工艺属于线接触方式，极易引发形变问题；而步进式设备需要多次定位，量产效率明显较低。全域压印模式可以直接覆盖整片晶圆，量产效率得到显著提升。

节省成本，简化工序，降低运维难度

这套方案还有一个突出优势：能够实现跨尺度微纳结构一次成型，省去了多道复杂的光刻工序。流程虽然简化了，但生产良率并未因此打折扣，这正是它被激光雷达芯片量产选中的关键原因。

本次合作的核心聚焦于激光雷达芯片的量产，帮助力策科技的光学相控阵芯片面向车载、智能终端等市场实现规模化落地。

技术验证：DUV工艺可被可靠替代

从技术层面来看，8英寸规模化量产已经充分证明：国产纳米压印技术能够在光芯片制造中稳定替代传统DUV工艺。而在成本方面，表现更为亮眼：整套方案搭配定制双层压印胶材料体系，芯片制造成本被压缩到了传统DUV方案的十分之一。

目前，这套纳米压印方案已在光通讯化合物芯片、硅光环形导光结构芯片等领域完成了量产验证，证明这条技术路径不仅走得通，而且走得非常稳健。