SK海力士V10闪存采用375层堆叠设计于2026年实现量产
据悉,SK海力士V10NAND采用375层堆叠设计,已完成生产验证并准备量产转移,目标在2026年内通过对其既有产线进行制程升级实现大规模出货,旨在满足数据中心和人工智能训练场景对大容量存储的迫切需求。
2025年6月11日,财闻海外一则重磅消息引发存储行业高度关注:SK海力士在V9 321层之后的下一代3D NAND闪存技术路线图终于明朗——将采用375层堆叠设计。这无疑又是一次层数上的显著跃升,标志着存储密度迈入新阶段。
更值得关注的是,SK海力士新一代V10 NAND已完成生产验证,目前正紧锣密鼓地筹备量产转移。按照企业规划,目标是在2026年内通过对现有产线的制程升级,实现大规模出货。这意味着,消费者距离真正搭载375层NAND的SSD产品,可能仅需等待两年左右。
从技术迭代节奏来看,SK海力士在3D NAND领域的推进速度相当稳健。V9 321层刚刚落地,V10的375层便已箭在弦上。这背后既体现了对更高存储密度的持续追求,也反映出企业对数据中心、AI训练等高容量存储应用场景需求的精准预判——每一层堆叠都意味着单位面积存储成本进一步降低,而这正是市场最迫切需要的。
当然,375层堆叠带来的工艺挑战同样不可小觑。从生产验证到良率爬坡,再到最终量产,每一步都需要扎实的工艺积累。不过,既然SK海力士已明确给出2026年时间表,说明内部对这项技术的成熟度已具备充分信心。接下来,就看竞争对手如何应对这一轮技术竞争了。
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