三星全新高性能大容量microSD卡 助力移动计算与端侧AI

三星刚刚放出了两个大消息：一是推出了首款支持SD Express接口的256GB microSD卡，读取速度最高可达800MB/s；二是1TB的UHS-1 microSD卡已经正式进入量产阶段。这两款产品直接瞄准了移动计算和端侧人工智能应用对存储性能的更高要求——用一张指甲盖大小的卡片，提供接近SSD的速度和TB级容量，这才是真正的“小身材大能量”。

三星电子品牌存储事业部全球副总裁Hangu Sohn在发布时点明了关键：“来自移动计算和端侧AI应用的需求正在快速增长，这两款新卡正是为此而生。尽管尺寸极小，但它们的性能和容量足以让用户从容应对当下和未来的高要求应用。”这话不虚，下面具体看看这两款产品到底有什么不同。

三星首款SD Express microSD存储卡，传输速度最高可达800MB/s

三星SD Express microSD

传统UHS-1接口的microSD卡，读取速度上限只有104MB/s，即便市面上一些高端产品也仅能跑到200MB/s左右。而SD Express接口的理论最大读取速度可达985MB/s，但此前一直未有商用产品落地。三星这次推出的SD Express microSD卡，就是与客户合作开发定制产品后的成果——顺序读取速度达到800MB/s，是SATA SSD（约560MB/s）的1.4倍，更是传统UHS-1卡（最高200MB/s）的4倍以上。

能在这么小的体积内实现如此高的性能，靠的是三样东西：低功耗设计、专门优化的固件，以及动态散热保护（Dynamic Thermal Guard）技术。长时间高负载读写时，温度控制是microSD卡的老大难问题，三星用这套技术组合拳确保了稳定性。换句话说，你在PC或移动设备上用它跑大文件、做AI推理，都不用担心发热导致降速。

1TB UHS-1 microSD存储卡，搭载先进1Tb V-NAND技术

三星1TB UHS-1 EVO Plus microSD

三星1TB UHS-1 PRO Plus microSD

1TB容量对于microSD卡来说已经不算新闻，但三星这次把密度做上去了：堆叠了八层第8代1Tb V-NAND芯片，这过去只用在SSD上的封装技术，现在塞进了指甲盖大小的卡片里。而且，这款1TB卡通过了严苛的可靠性测试，具备六重防护：防水、耐极端温度、防摔、防磨损、防X射线、防磁。具体参数方面：1米深海水浸泡72小时、-25℃到85℃工作温度、5米跌落、标准机场X光机、高达15000高斯的磁场……这些数据意味着，你拿着它去户外、进工地、甚至作为行车记录仪存储，都不用担心数据安全问题。

推出时间

256GB版本的SD Express microSD卡将在今年内正式上市，而1TB的UHS-1 microSD卡预计会在今年第三季度与消费者见面。两类产品覆盖了不同需求：追求极致速度的用户可以等SD Express卡，而看重超大容量和可靠性的用户，现在就可以关注1TB UHS-1的量产进展。

[1] GB=1,000,000,000字节（10亿字节）。实际可用容量可能会少于标识容量。
[2] SD Express：全新SD存储卡接口支持PCIe Gen3x1 协议（基于2019年2月发布的SD 7.1规范），理论传输速度可达985MS/s。
[3] 1TB=1,000,000,000,000字节（1万亿字节）。实际可用存储容量可能会有所不同。
[4] 对于存储卡数据恢复过程中间出现的任何数据损坏/损失或费用，三星概不负责。六重防护仅针对1TB UHS-1 microSD存储卡，不包括256GB SD Express microSD存储卡。1米深度，海水，持续72小时。工作温度-25℃至85℃（-13°F to 185°F），非工作温度-40℃至85℃ （-40°F to 185°F）。可承受标准机场X光机器（高达100mGy）。相当于高磁场MRI扫描仪的磁场（高达15,000高斯）。可承受高达5米（16.4 英尺）的摔落。最高10,000 次插拔。