澜起2026年完成MRDIMM第三子代MRCD/MDB芯片研发

近日，澜起科技在投资者交流会上披露了未来技术路线图的关键信息，值得投资者与行业人士密切关注。这家企业正稳步推进多项高速互联芯片的研发，覆盖内存模组与PCIe接口等领域，战略布局十分清晰。

首先关注内存方面。澜起科技计划于2026年完成MRDIMM内存模组第三子代的核心芯片——MRCD（多路复用寄存时钟驱动器）与MDB（多路复用数据缓冲器）的工程研发。这一时间节点意义重大，因为JEDEC已宣布DDR5 MRDIMM Gen2的速率将达到12800MT/s，而第三子代势必将在此基础上进一步提升数据速率。换言之，未来一到两年内，内存带宽的竞争将迈入全新阶段。

与此同时，澜起科技在PCIe与以太网方向亦有重要布局。今年内，该公司计划完成PCIe 7.0 Retimer（重定时器）芯片、PCIe Switch（交换器）芯片以及以太网PHY Retimer芯片的工程样片流片。这三款芯片均为高速互联领域的核心元件，特别是PCIe 7.0标准甫定，国内企业能迅速跟进，充分体现了扎实的技术储备与研发实力。

从整个行业节奏来看，澜起科技也给出了关键判断：目前MRDIMM仍处于第二子代产品的规模试用阶段，距离大规模商用尚有距离。产业界正积极推动CXL技术落地，多家CSP（云服务提供商）已开始试用相关产品。至于PCIe 6.0 Retimer芯片，行业普遍预期要到2027年才能进入正式规模应用阶段。这些时间节点对芯片采购决策与产品规划而言，极具参考价值。