忆联发布全新UH812c/UH832c企业级固态硬盘：NAND升级，顺序写入12GB/s

忆联近期正式推出了两款PCIe Gen5企业级固态硬盘新品——UH812c与UH832c，分别对应1DWPD与3DWPD的寿命等级。其中，UH812c以均衡耐用为特点，而UH832c则在写入密度方面表现更优，适合高写入负载场景。

这两款新品采用了新一代NAND闪存存储介质，并经过深度调优。相比此前推出的UH812a系列，顺序写入性能提升了14%，随机写入性能提升了20%，4KB随机读取时延低至52μs。从数据来看，这一代产品的性能提升相当显著，能够满足企业级应用对高吞吐与低延迟的需求。

硬件层面，UH812c与UH832c基于3D eTLC闪存，搭配忆联自研的主控与固件，接口采用PCIe Gen5×4通道，符合NVMe 2.0协议。外形规格支持U.2与EDSFF E3.S 1T，最大容量可达16TB级别。这意味着它们既能适配传统服务器机箱，也能兼容新一代E3.S存储槽位，为数据中心提供灵活的部署选择。

性能方面，两款硬盘均支持最高14.9GB/s的顺序写入速率与最高12GB/s的顺序读取速率。其中，UH832c的随机读写速率更是达到了3500K IOPS与1100K IOPS。4KB QD1顺序读写时延分别为7μs（读）与6μs（写），4KB QD1随机写入时延同样为6μs。功耗控制也相当出色：闲置功耗≤5W，整盘峰值功耗≤25W，顺序读取峰值功耗≤18W，有助于降低数据中心运营成本。

功能特性上，这两款硬盘支持NVMe-MI 1.2b带外管理、端到端（E2E）数据保护、数据安全擦除、Sanitize、256K原子写入等企业级必备功能。内置智能多流、TRIM、智能预读与命名空间流控，同时支持延时统计与慢I/O监控，固件也支持在线升级。此外，还集成了带外状态监控与资产管理能力——对于数据中心运维而言，这些都是实打实的加分项，能够有效提升系统可靠性与管理效率。