传国内DUV光刻机量产:首批今年交付,明年生产20台
国内DUV光刻机进入量产阶段,今年计划生产5台,明年增至20台。首批设备年内交付中芯国际、华虹宏力及长鑫存储。采用193nmArF激光器与浸没式技术,可满足7nm及以上制程需求,但需数月验证精度与可靠性。
据市场消息,国产DUV(深紫外)光刻机已正式迈入量产阶段。The Information援引知情人士透露,今年计划生产5台,明年产量将提升至20台。首批设备将在年内交付给中芯国际、华虹宏力半导体以及长鑫存储,逐步融入其生产流程。当然,新设备在正式量产前仍需跨越一道关键门槛——精度、可靠性与兼容性均需经过严格验证,这一过程可能耗时数月甚至更长时间。

在技术参数方面,这款国产DUV光刻机搭载了193nm波长的氟化氩(ArF)激光器,采用浸没式光刻技术,以水作为折射介质,并配合多重图形化工艺,能够实现纳米级别的芯片特征尺寸制造。简而言之,DUV技术是当前芯片制造产业链中的关键环节,可满足7nm及以上制程芯片的生产需求。
谈到DUV光刻机,业界最熟悉的莫过于荷兰ASML公司,其在该领域已深耕数十年。早在2004年,英特尔和台积电便开始采用浸入式DUV光刻技术。正是凭借DUV光刻机的技术优势,ASML成功超越尼康,并在2020年之后稳居全球光刻机龙头地位,这一领先优势延续至今。
从出货量来看,去年ASML共计交付了131台DUV光刻机,今年预计出货量约为130台。目前ASML最先进的DUV机型为TWINSCAN NXT:2150i,每小时可处理超过310片晶圆,配合自对准四重图案化技术(SAQP),甚至能生产7nm乃至5nm制程的芯片。这样的技术积淀,确实难以在短时间内实现追赶。
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