璞璘气压式纳米压印机量产8英寸光芯片晶圆成本仅为DUV光刻1/10

近日，璞璘科技与力策科技达成合作的消息引发行业广泛关注——双方依托真空气压式晶圆级NIL（纳米压印）图案化设备PL-AS，并结合定制化双层压印胶材料与核心工艺方案，成功实现了8英寸光芯片晶圆的批量化生产。更值得关注的是，该工艺路径完全避开了传统DUV光刻技术路线，使芯片制造成本直接降至传统DUV方案的十分之一，展现出显著的降本增效优势。

从设备性能来看，PL-AS机台的关键技术参数十分突出：线宽分辨率小于10nm，晶圆整面压印压力均匀性误差低于0.5%，支持无残余层压印工艺，对准精度还可按需求定制至百纳米级。同时，该设备兼容平面与曲面衬底，硬质模板和柔性模板均可适配，具备良好的工艺兼容性与应用拓展能力。

与传统辊压式晶圆级NIL技术相比，PL-AS采用面施力方式，可确保晶圆上每一个纳米级结构单元受力高度一致，并将RLT偏差稳定控制在2nm以下。与此同时，其设备吞吐能力也明显优于步进式佳能NIL设备，更适合面向高效率晶圆制造和规模化量产需求。

至于其成本为何能够大幅下降，核心原因在于PL-AS作为气压式纳米压印设备，整体结构相比DUV光刻设备更为简洁，无需配置高成本光学系统，同时还能采用使用寿命更长的复合模板。在设备结构、工艺方案与耗材成本等多重因素共同作用下，PL-AS形成了突出的成本优势，为光芯片制造、晶圆级纳米压印量产提供了更具竞争力的新选择。