DRAM

12月3日消息，据首尔经济日报报道，三星内部芯片团队与移动业务部门的矛盾正在加剧，Galaxy S26 系列的供应链因此面临风险。三星计划在明年初推出 Galaxy S26 系列，但移动业务 MX

12 月 2 日消息，韩媒 DealSite 昨日报道称，三星电子考虑将支撑其 HBM3E 内存供应的 1a nm DRAM 产能削减 30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的 1b n

12月2日消息，随着全球DRAM价格持续飙升，三星电子内部两大核心部门，半导体部门（DS）与移动体验部门（MX）之间的矛盾开始浮现。最新消息指出，三星DS部门已拒绝向自家MX部门提供一年以上的DRA

12月2日消息，面对内存疯狂涨价的局面，全球前两大存储巨头三星、SK海力士却拒绝扩大产量，而是以盈利考虑优先。当下，三星和SK海力士控制了超过70%的内存总产量，双方均表示，针对持续的“内存热潮”，

12 月 1 日消息，《日经亚洲》上月末报道称，Micron 美光扩建日本广岛县东广岛市 DRAM 工厂的施工将于 2026 年 5 月启动，目标 2028 年实现 HBM 内存出货。日本经济产业

12 月 1 日消息，此前业界普遍预计，内存价格的上涨不仅会抑制内存模组本身的销量，还将对整体 PC 硬件市场造成显著冲击。如今，DRAM 价格飙升对整个 PC 硬件市场的影响已清晰显现。自 DR

12 月 1 日消息，韩媒《朝鲜日报》11 月 28 日报道称，SK 海力士明年除积极扩产 HBM 内存外也将全力扩充 HBM 以外的通用 DRAM 内存的产能，为此计划充分利用手头的晶圆厂空间。

12月1日消息，11月28日，杭州内存芯片设计公司力积存储在港交所提交新版上市申请书，独家保荐人为中信证券。力积存储主要从事DRAM内存芯片的设计，专注于8GB DDR4及更早代际的产品。台湾力积电

12月1日消息，随着AI推理大模型的落地，存储产品不再是AI算力中可有可无的配件，而是成为AI基础设施集约化发展中的战略性物资。据媒体报道，受全球AI算力需求激增影响，内存芯片价格飙升，三星半导体部

12月1日消息，据媒体报道，受全球AI算力需求激增影响，全球内存半导体出现严重供不应求态势，内存芯片价格正在飞速提升，其中16G+512G内存到今年年底的价格上涨幅度近500元人民币。据行业相关人士

11 月 28 日消息，据韩联社今日报道，市场研究机构 Omdia 周五公布的最新数据显示，由于价格上涨，第三季度全球 DRAM 销售额环比增长 30%，达到 403 亿美元（现汇率约合 2855

11月28日消息，据媒体报道，三星电子近期对其高带宽存储器（HBM）开发团队进行了组织调整，撤销原隶属于半导体业务DS部门下的HBM开发团队，相关人员整体并入DRAM开发室。这一变动引发市场对三星H

11 月 27 日消息，科技媒体 ZDNet Korea 昨日（11 月 26 日）发布博文，报道称在国际固态电路会议（ISSCC）2026 大会上，SK 海力士将公开展示下一代超高速 DRAM

11月26日消息，最近内存以及闪存价格已经不能说是涨价了，而是坐火箭一般上升，2个多月时间现货价涨了300%。这轮存储芯片涨价跟PC、手机需求无关，这两个领域甚至面临销量下滑的难题，但它们会是内存涨

11月25日消息，三星继上月宣布成功开发首款24Gb（3GB）GDDR7 DRAM后，近日正式显示其已推出更高速度的样品版本，速率从原有的28Gbps（型号K4vcf325zc-sc28）进一步提升