美光官宣HBM4等全系量产，适配英伟达Vera Rubin平台
来源：环球网【环球网科技综合报道】3月17日消息，在英伟达GTC大会上，美光科技宣布，旗下HBM4内存、SOCAMM2内存模块以及9650 SSD数据中心固态硬盘已同步进入大规模量产阶段，上述产品均
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【环球网科技综合报道】3月17日，英伟达GTC大会上传来最新动态，美光科技正式宣布，其旗下HBM4内存、SOC AMm2内存模块以及9650系列固态硬盘均已进入大规模量产阶段。这些产品专为英伟达Vera Rubin平台量身打造，将为AI服务器等相关应用提供更强大的存储性能支持。
作为面向Vera Rubin平台的核心内存产品，美光HBM4生产线已于今年第一季度实现量产并开始出货，首批量产的是36GB容量的12层堆叠版本。该产品引脚速率突破11Gb/s，可提供超过2.8TB/s的内存带宽，相比上一代HBM3E，带宽提升约2.3倍，能效比也提高了20%以上。与此同时，美光已向客户提供16层堆叠的48GB HBM4早期样品，与12层版本相比，这款样品的单颗容量提升33%，能够进一步增加单个HBM位置可用内存容量，为更高规格的算力需求预留性能空间。
在内存模块领域，美光SOC AMm2也已开启大规模量产。其中，192GB容量版本将应用于Vera Rubin NVL72系统及独立的Vera CPU平台，可为单颗CPU提供最高2TB的内存容量和1.2TB/s的带宽，满足高端算力场景对内存的严苛需求。据悉，美光SOC AMm2产品线容量覆盖48GB至256GB，能够适配不同规模的AI服务器配置，兼顾多样化的市场需求。
存储产品方面，美光Micron 9650 SSD正式投入量产。这款数据中心固态硬盘采用PCIe Gen 6接口，是业内首款专为英伟达BlueField4 STX架构优化设计的SSD产品。性能表现上，该产品顺序读取速度最高可达28GB/s，随机读取性能达550万IOPS，相比上一代PCIe Gen 5 SSD，读取性能实现近倍提升；同时其单位功耗性能实现约两倍提升，在提升算力的同时进一步实现能效优化，契合数据中心绿色发展的趋势。（纯钧）
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