镓仁半导体晶圆级厚膜外延片器件验证性能超越进口产品

氧化镓材料领域近期迎来重要突破。杭州镓仁半导体今日宣布，其自主研发的氧化镓同质厚膜外延片，已在西安电子科技大学顺利完成无终端结构SBD（肖特基势垒二极管）器件的制备与性能验证，测试结果令人瞩目。

本次验证所用厚膜外延片的外延层厚度为10微米，载流子浓度设定在1×10¹⁶ cm⁻³。从实测数据来看，器件的耐压能力和导通特性均展现出极高水准，核心参数已达到国际先进水平，关键指标更是显著优于日本头部企业的同类产品。这意味着我国在大尺寸氧化镓同质外延材料的器件应用领域，终于迈出了关键性的一大步。

目前，该外延片已实现现货供应，可为下游器件研发与量产提供稳定、即时的材料保障。

先看击穿电压——这是衡量功率器件耐压能力的核心指标，直接决定了器件的工作电压上限。验证数据显示，基于镓仁半导体厚膜外延片制备的无终端SBD器件，击穿电压达到了1090～1490 V，显著高于日本头部企业的同类产品。这说明外延片的缺陷密度极低，质量足够可靠，完全能够满足超高压、高功率器件的应用需求。

再来看比导通电阻——这一参数决定了器件导通时的能量损耗，数值越低，损耗越小，转换效率越高。该SBD器件的比导通电阻仅为2.6～4.5 mΩ·cm²，远低于日本头部企业的同类产品。换句话说，它在导通损耗与耐压能力之间找到了一个极佳的平衡点，兼顾了优异的导通特性和阻断特性。

镓仁半导体表示，此次验证结果表明，基于其外延片制备的SBD器件综合性能优异，器件指标已全面优于进口产品。

顺便提一下这家公司的背景：杭州镓仁半导体专注于氧化镓材料与设备解决方案，核心产品包括2-8英寸氧化镓单晶与衬底（其中8英寸为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法长晶设备，以及2-8英寸氧化镓同质外延片（8英寸同样为国际首发）——可以说，在超宽禁带半导体领域，他们的产业化步伐相当扎实。