消息称三星电子泰勒逻辑厂启动光刻机调试，平泽 DRAM 厂下达设备订单

三星半导体扩产提速：泰勒厂光刻机调试中，平泽P4大单落地

这波AI浪潮带来的算力饥渴，正在倒逼半导体巨头们把油门踩到底。最近几天，两家韩国主流媒体《edaily》和《ZDNET Korea》接连曝光了三星电子半导体部门的最新动作，指向非常明确：无论是面向未来的先进逻辑芯片，还是眼下火热的存储产品，三星都在全速布局产能。

先看逻辑芯片这块。根据《edaily》的报道，三星在美国得克萨斯州泰勒市的那座备受瞩目的2纳米晶圆厂，已经悄悄进入了试运营状态。目前，工厂里的极紫外（EUV）光刻机已经启动测试，这可是芯片制造中最核心、最精密的设备之一。与此同时，蚀刻和沉积流程所需的主要设备，也正按计划分批进驻产线。一切信号都表明，这座工厂正朝着今年内初步运营、2027年全面投产的目标稳步推进。

而内存芯片方面，动作同样不小。《ZDNET Korea》的最新消息指出，就在三月底，三星电子为平泽P4晶圆厂集群下达了一笔大宗前端设备订单，涉及的是最后两个阶段——PH2和PH4。这两个产线肩负着明确的任务：它们将专门用于生产支持下一代高带宽内存（HBM）的芯片。具体来说，就是要制造采用1c纳米工艺的DRAM核心，这些核心将用于未来的HBM4、HBM4E乃至更远的HBM5产品。可以说，这份订单直接锚定了未来几年高端存储市场的竞争格局。

其实，平泽P4的布局早已展开。PH1阶段的投资已经完成；PH3的设备安装工作也临近收尾，预计年内就能实现每月1.3万至1.4万片晶圆的投片量。新下订单的这两个阶段，进度略有差异：PH4会快一些，计划在今年五、六月间就启动设备搬入；而PH2目前则处于洁净室建设阶段，预计十一月开始装机，目标是2027年2月全部完工。环环相扣的时间表，充分显示了三星在产能爬坡上的严谨规划和高效执行。